实现无缝钴间隙填充的方法

摘要

提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。

主权项

一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法，包括：进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层，包括：使所述基板暴露于包括含钴前驱物和还原气体的沉积前驱物气体混合物，以在所述基板上沉积所述接触金属层的一部分；使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺；以及重复使所述基板暴露于包括含钴前驱物和还原气体的沉积前驱物气体混合物的步骤以及使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度；以及对设置在所述基板上的所述接触金属层进行退火。