发明名称 | 植入制程的热模组 | ||
摘要 | 一种离子植入的方法,其包括在植入制程期间调整基底的温度。此调整影响基底的特性,且可以用来将范围末端缺陷最小化;选择性地分离和扩散出次掺质;将非结晶区域最大化或最小化;以及改变其他半导体参数。在一特定的实施例中,使用调整温度的离子植入的组合。在高温下的离子植入与一般的基本处理连续使用,以及与在低温下的离子植入连续使用。温度调整可以在制程的开始或末端,以减轻有害的次掺质影响。 | ||
申请公布号 | CN102203913B | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
申请号 | CN200980143910.2 | 申请日期 | 2009.09.30 |
申请人 | 瓦里安半导体设备公司 | 发明人 | 迪帕克·瑞曼帕 |
分类号 | H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
主权项 | 一种在离子植入制程期间将基底中不需要的次掺质最小化的方法,包括:a.在所述离子植入制程的第一部分期间,在第一温度下将分子离子植入所述基底,其中在所述分子离子与所述基底碰撞之下,所述分子离子分解为所需的主要掺质与所述不需要的次掺质;以及b.在所述离子植入制程的第二部分期间,增加所述基底的温度,使得所述不需要的次掺质扩散穿过所述基底的表面。 | ||
地址 | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 |