| 发明名称 | 非易失性存储器件和系统及非易失性存储器件编程方法 | ||
| 摘要 | 一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：使用递增步长脉冲编程(ISPP)方法执行第一至第(N-1)页编程操作，以将第一至第(N-1)数据页编程在该MLC存储单元中，其中第一至第(N-1)页编程操作的每一个包括该MLC存储单元当中的擦除单元的擦除编程。该方法还包括使用该ISPP方法执行第N页编程操作，以将第N数据页编程在该MLC存储单元中。 | ||
| 申请公布号 | CN101996680B | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201010260550.9 | 申请日期 | 2010.08.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林瀛湖;姜东求;金亨埈 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 钱大勇 |
| 主权项 | 一种对包括N比特多电平单元MLC存储单元的非易失性存储器编程的方法，其中N是2或更大的整数，所述方法包括：使用递增步长脉冲编程ISPP方法执行第一至第(N‑1)页编程操作，以将第一至第(N‑1)数据页编程在该MLC存储单元中，其中第一至第(N‑1)页编程操作的每一个包括该MLC存储单元当中的擦除单元的擦除编程，其中在擦除单元的擦除编程期间，擦除单元的阈值电压从第一擦除状态移位到第二擦除状态，使用该ISPP方法执行第N页编程操作，以将第N数据页编程在该MLC存储单元中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||