| 摘要 |
1. Мощный полупроводниковый импульсный тиристор, имеющий структуру npnp-типа, (n, pсильнолегированные эмиттерные области n и p-типа проводимости, p-базовая область со средним уровнем легирования, n-слаболегированный исходный материал), в котором все чередующиеся эмиттерные n-полосы электрически связаны с металлическими эмиттерными шинами, а все чередующиеся базовые p-полосы электрически связаны с металлическими базовыми шинами, отличающийся тем, что каждая базовая полоса подключена к металлической базовой шине через последовательное сопротивление, величина которого много больше, чем сопротивление квазилинейной части прямой вольтамперной характеристики np-перехода, образованного каждой парой n-эмиттерных и p-базовых полос.2. Мощный полупроводниковый импульсный тиристор по п.1, отличающийся тем, что последовательное сопротивление выполнено в виде участка базовой полосы, свободного от металлизации. |
