发明名称 |
低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法 |
摘要 |
一种低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将一衬底升温,在氢材料气环境下热处理;步骤2:在衬底上生长一层低温成核层,为后续外延生长提供成核中心;步骤3:在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层;步骤4:在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层,形成外延片;步骤5:在氮气环境下,将外延片高温退火,使其P型铝镓氮层中受主激活,得到低电阻率的P型铝镓氮层材料。本发明可以降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质浓度,从而减轻受主补偿作用,达到降低P型材料电阻率的目的。 |
申请公布号 |
CN104201256A |
申请公布日期 |
2014.12.10 |
申请号 |
CN201410426219.8 |
申请日期 |
2014.08.26 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
杨静;赵德刚;陈平;刘宗顺;江德生 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将一衬底升温,在氢材料气环境下热处理;步骤2:在衬底上生长一层低温成核层,为后续外延生长提供成核中心:步骤3:在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层;步骤4:在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层,形成外延片;步骤5:在氮气环境下,将外延片高温退火,使其P型铝镓氮层中受主激活,得到低电阻率的P型铝镓氮层材料。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |