发明名称 低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法
摘要 一种低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将一衬底升温,在氢材料气环境下热处理;步骤2:在衬底上生长一层低温成核层,为后续外延生长提供成核中心;步骤3:在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层;步骤4:在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层,形成外延片;步骤5:在氮气环境下,将外延片高温退火,使其P型铝镓氮层中受主激活,得到低电阻率的P型铝镓氮层材料。本发明可以降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质浓度,从而减轻受主补偿作用,达到降低P型材料电阻率的目的。
申请公布号 CN104201256A 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201410426219.8 申请日期 2014.08.26
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 杨静;赵德刚;陈平;刘宗顺;江德生
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将一衬底升温,在氢材料气环境下热处理;步骤2:在衬底上生长一层低温成核层,为后续外延生长提供成核中心:步骤3:在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层;步骤4:在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层,形成外延片;步骤5:在氮气环境下,将外延片高温退火,使其P型铝镓氮层中受主激活,得到低电阻率的P型铝镓氮层材料。
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