一种支持晶圆级芯片尺寸封装的半导体器件的制造方法

摘要

一种支持晶圆级芯片尺寸封装的半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：利用沟槽掩模对晶圆衬底上的外延层进行侵蚀而形成多个栅极沟槽，并注入掺杂剂分别形成源区和基区；利用接触孔掩模，对层间介质进行侵蚀形成接触沟槽，并对接触沟槽进行填充形成沟槽插塞；利用漏区掩模，对层间介质进行侵蚀形成一個与漏极连接的槽；利用金属掩模进行金属侵蚀，形成金属垫层和连线。本发明的制造方法，使器件的栅极、源极和漏极都在同一个表面，使半导体器件可支持晶圆级芯片尺寸封装，从而减少封装成本和时间。

主权项

一种支持晶圆级芯片尺寸封装的半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：利用沟槽掩模对晶圆衬底上的外延层进行侵蚀而形成多个栅极沟槽，并注入掺杂剂分别形成源区和基区；利用接触孔掩模，对层间介质进行侵蚀形成接触沟槽，并对接触沟槽进行填充形成沟槽插塞；利用漏区掩模，对层间介质进行侵蚀形成一個与漏极连接的槽；利用金属掩模进行金属侵蚀，形成金属垫层和连线。