一种GaN基发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管，包括依次层叠的衬底、n型接触层、有源层和p型接触层；其中衬底为蓝宝石衬底，n型接触层为n型AlGaN层，p型接触层为p型GaN层；有源层为AlGaN多量子阱。本发明还公开了一种GaN基发光二极管的制造方法包括准备并处理蓝宝石衬底，以及在蓝宝石衬底上依次沉积AlN模板层、低温GaN插入层和AlGaN过渡层、n型接触层、有源层、p型电子阻挡层、p型过渡层和p型接触层。采用处理后的蓝宝石晶片作为衬底形成的发光二极管，增大了击穿场强，减少了漏电，增加了导热性，光发射效率更高，可靠性更大。该方法可以明显的减小发光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高发光二极管的性能和寿命。

主权项

一种GaN基发光二极管的制造方法，包括如下步骤：准备并处理蓝宝石衬底，以及在蓝宝石衬底上依次沉积AlN 模板层、低温GaN插入层和AlGaN过渡层、n型接触层、有源层、p型电子阻挡层、p型过渡层和p型接触层；其特征在于，所述处理蓝宝石衬底的方法包括如下步骤：（1）在常温常压下，将蓝宝石晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮；（2）对蓝宝石晶片加热的同时加压，加热至温度为950～1020℃，加压至压力为4.5~4.9GPa，保持10～15分钟；（3）停止加热，使蓝宝石晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使蓝宝石晶片恢复至常压；（4）在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出蓝宝石晶片。