发明名称 | 光传感器 | ||
摘要 | 本实用新型是关于一种光传感器,光传感器包含一基板、一开关元件及一光电元件。开关元件及光电元件设于基板之上,开关元件包含第一金属层、一绝缘层、一欧姆接触层及一第二金属层。光电元件包含第二金属层、一二极管层及一电极层。绝缘层堆栈于第一金属层之上,欧姆接触层堆栈于绝缘层之上,第二金属层堆栈于欧姆接触层之上。二极管层堆栈于第二金属层之上,电极层堆栈于二极管层之上。其中,第二金属层包含复数子金属层,该些子金属层间以阶梯堆栈的方式形成于欧姆接触层之上。 | ||
申请公布号 | CN204011425U | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
申请号 | CN201320777356.7 | 申请日期 | 2013.12.02 |
申请人 | 凌巨科技股份有限公司 | 发明人 | 吴瑞钦;孙国昇 |
分类号 | H01L27/144(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
主权项 | 一种光传感器,其特征在于,其包含:一基板;一开关元件,设于该基板之上,且该开关元件包含:一第一金属层;一绝缘层,堆栈于该第一金属层之上;一欧姆接触层,堆栈于该绝缘层之上;一第二金属层,堆栈于该欧姆接触层之上;一光电元件,设于该基板之上,并包含该第二金属层,且该光电元件更包含:一二极管层,堆栈于该第二金属层之上;及一电极层,堆栈于该二极管层之上;其中,该第二金属层包含复数子金属层,该些子金属层间以阶梯堆栈的方式形成于该欧姆接触层之上。 | ||
地址 | 中国台湾苗栗县头份镇芦竹里工业路15号 |