一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体涉及到一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件。本发明主的技术方案，与传统与固定电位连接的金属场板(如栅场板、漏场板以及源场板)相比，一方面，自偏置场板能削弱常规金属场板末端的电场尖峰，进一步优化器件表面电场的分布；更重要的是，自偏置场板的偏置电位可根据需要设定；因而，其提高器件耐压的效果更明显。另一方面，自偏置场板能增强对漂移区的辅助耗尽作用，高漂移区掺杂浓度以降低器件比导通电阻。该自偏置场板能应用于多种功率器件中。本发明尤其适用于高压MOS器件。

主权项

一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件，包括第一导电类型半导体衬底(1)、位于第一导电类型半导体衬底(1)上层的第二导电类型半导体漂移区(2)和第一导电类型半导体体区(3)、位于第二导电类型半导体漂移区(2)和第一导电类型半导体体区(3)上层的场介质层(7)；所述第一导电类型半导体体区(3)上层设置有相互独立的第一导电类型半导体体接触区(5)和第二导电类型半导体源区(4)；第一导电类型半导体体接触区(5)和第二导电类型半导体源区(4)上表面设置有源电极(8)；第二导电类型半导体漂移区(2)上层远离第一导电类型半导体体区(3)的一端设置有第二导电类型半导体漏区(6)；第二导电类型半导体漏区(6)上表面设置有漏电极(10)；所述源电极(8)和漏电极(10)之间设置有栅电极(9)；所述栅电极(9)与第一导电类型半导体体区(3)和第二导电类型半导体源区(4)接触；其特征在于，还包括自适应偏置场板，所述自适应偏置场板由场板(11)和薄膜电阻(13)构成；其中，所述场板(11)与薄膜电阻(13)电气连接；所述场板(11)设置在场介质层(7)的上表面；所述薄膜电阻(13)的一端与源电极(8)电气连接，其另一端与漏电极(10)电气连接。