栅介质氧化层的制备方法

摘要

本发明提供了一种栅介质氧化层的制备方法，所述栅介质氧化层的制备方法至少包括下列步骤：对基底执行热氧化操作和热处理操作，以形成具有稳定和均匀的目标厚度的二氧化硅栅氧化层；通过等离子体氮化技术对所述二氧化硅栅氧化层进行氮的注入，使二氧化硅中的部分氧原子由氮原子取代形成硅-氮键，从而将所述二氧化硅栅氧化层调整为具有一定氮浓度的硅氧氮化合物栅氧化层；通过低热预算的尖峰退火技术对所述硅氧氮化合物栅氧化层进行快速热退火处理，以修复晶格损伤并形成稳定硅-氮键。采用本发明的栅介质氧化层的制备方法能够解决现有技术的PNA高温退火工艺中的不足之处，且具有低热预算的特性。

主权项

一种栅介质氧化层的制备方法，其特征在于，所述栅介质氧化层的制备方法至少包含下列步骤：步骤1，对基底执行热氧化操作和热处理操作，以形成具有稳定和均匀的目标厚度的二氧化硅栅氧化层；步骤2，通过等离子体氮化技术对所述二氧化硅栅氧化层进行氮的注入，使二氧化硅中的部分氧原子由氮原子取代形成硅‑氮键，从而将所述二氧化硅栅氧化层调整为具有一定氮浓度的硅氧氮化合物栅氧化层；步骤3，通过低热预算的尖峰退火技术对所述硅氧氮化合物栅氧化层进行快速热退火处理，以修复晶格损伤并形成稳定硅‑氮键。