高效PID Free的太阳能多晶硅电池的钝化减反射膜

摘要

本实用新型涉及一种高效PID Free的太阳能多晶硅电池的钝化减反射膜，所述钝化减反射膜底层为SiO₂层1，折射率为1.45-1.58，厚度为2-30nm，中间层为高折射率钝化SiNx层，折射率为2.00-2.40，厚度为2-30nm，顶层为电性能优化SiNx层，折射率为1.90-2.25，厚度为4-50nm。该高效PID Free的太阳能多晶硅电池的钝化减反射膜既可以优化多晶硅电池的电性能，又可以从电池端有效地降低PID衰减，可以提高转换效率15-20%，具有较大的经济效益。

主权项

一种高效PID Free的太阳能多晶硅电池的钝化减反射膜，其特征在于：所述钝化减反射膜底层为SiO₂层(1)，SiO₂层(1)折射率为1.45‑1.58，厚度为8‑20nm，钝化减反射膜中间层为高折射率钝化SiNx层(2)，高折射率钝化SiNx层(2)折射率为2.00‑2.40，厚度为2‑30nm，钝化减反射膜顶层为电性能优化SiNx层(3)，电性能优化SiNx层(3)折射率为2.0‑2.25，厚度为4‑50nm。