发明名称 用于EUV波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备
摘要 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜(1a;1b;1c),所述反射镜包括基底(S)和层布置,其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P”’),每个层子系统由单独层的至少两个周期(P<sub>2</sub>、P<sub>3</sub>)的周期序列构成,其中所述周期(P<sub>2</sub>、P<sub>3</sub>)包括作为高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)的两个单独层,高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)由不同材料构成,并且在每个层子系统(P”、P”’)内具有恒定厚度(d<sub>2</sub>、d<sub>3</sub>),所述恒定厚度(d<sub>2</sub>、d<sub>3</sub>)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)具有周期(P<sub>2</sub>)的序列,使得最远离基底(S)的层子系统(P”’)的第一个高折射率层(H”’)直接接续第二远离所述基底的层子系统(P”)的最后一个高折射率层(H”),并且/或者,最远离所述基底(S)的层子系统(P”’)的周期(P<sub>3</sub>)的数目(N<sub>3</sub>)大于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)的周期(P<sub>2</sub>)的数目(N<sub>2</sub>)。本发明还涉及包括这种反射镜(1a;1b;1c)的用于微光刻的投射物镜,并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。
申请公布号 CN102472976B 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201080030955.1 申请日期 2010.06.01
申请人 卡尔蔡司SMT有限责任公司 发明人 H-J.保罗;G.布朗;S.米古拉;A.多多克;C.扎克泽克
分类号 G03F7/20(2006.01)I;G02B5/08(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邱军
主权项 一种用于EUV波长范围的反射镜(1a;1b;1c),所述反射镜包括基底(S)和层布置,其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P”’),每个层子系统由单独层的至少两个周期(P<sub>2</sub>、P<sub>3</sub>)的周期序列构成,其中所述周期(P<sub>2</sub>、P<sub>3</sub>)包括作为高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)的两个单独层,所述高折射率层(H”、H”’)和所述低折射率层(L”、L”’)由不同材料构成,并且所述周期(P<sub>2</sub>、P<sub>3</sub>)在每个层子系统(P”、P”’)内具有恒定厚度(d<sub>2</sub>、d<sub>3</sub>),所述恒定厚度(d<sub>2</sub>、d<sub>3</sub>)与相邻层子系统的周期的厚度偏离,其特征在于:第二远离基底(S)的层子系统(P”)具有所述周期(P<sub>2</sub>)的序列,使得最远离所述基底(S)的层子系统(P”’)的第一个高折射率层(H”’)直接接续第二远离基底的层子系统(P”)的最后一个高折射率层(H”)。
地址 德国上科亨
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