发明名称 |
用于EUV波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备 |
摘要 |
本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜(1a;1b;1c),所述反射镜包括基底(S)和层布置,其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P”’),每个层子系统由单独层的至少两个周期(P<sub>2</sub>、P<sub>3</sub>)的周期序列构成,其中所述周期(P<sub>2</sub>、P<sub>3</sub>)包括作为高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)的两个单独层,高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)由不同材料构成,并且在每个层子系统(P”、P”’)内具有恒定厚度(d<sub>2</sub>、d<sub>3</sub>),所述恒定厚度(d<sub>2</sub>、d<sub>3</sub>)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)具有周期(P<sub>2</sub>)的序列,使得最远离基底(S)的层子系统(P”’)的第一个高折射率层(H”’)直接接续第二远离所述基底的层子系统(P”)的最后一个高折射率层(H”),并且/或者,最远离所述基底(S)的层子系统(P”’)的周期(P<sub>3</sub>)的数目(N<sub>3</sub>)大于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)的周期(P<sub>2</sub>)的数目(N<sub>2</sub>)。本发明还涉及包括这种反射镜(1a;1b;1c)的用于微光刻的投射物镜,并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。 |
申请公布号 |
CN102472976B |
申请公布日期 |
2014.12.10 |
申请号 |
CN201080030955.1 |
申请日期 |
2010.06.01 |
申请人 |
卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
发明人 |
H-J.保罗;G.布朗;S.米古拉;A.多多克;C.扎克泽克 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G02B5/08(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邱军 |
主权项 |
一种用于EUV波长范围的反射镜(1a;1b;1c),所述反射镜包括基底(S)和层布置,其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P”’),每个层子系统由单独层的至少两个周期(P<sub>2</sub>、P<sub>3</sub>)的周期序列构成,其中所述周期(P<sub>2</sub>、P<sub>3</sub>)包括作为高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)的两个单独层,所述高折射率层(H”、H”’)和所述低折射率层(L”、L”’)由不同材料构成,并且所述周期(P<sub>2</sub>、P<sub>3</sub>)在每个层子系统(P”、P”’)内具有恒定厚度(d<sub>2</sub>、d<sub>3</sub>),所述恒定厚度(d<sub>2</sub>、d<sub>3</sub>)与相邻层子系统的周期的厚度偏离,其特征在于:第二远离基底(S)的层子系统(P”)具有所述周期(P<sub>2</sub>)的序列,使得最远离所述基底(S)的层子系统(P”’)的第一个高折射率层(H”’)直接接续第二远离基底的层子系统(P”)的最后一个高折射率层(H”)。 |
地址 |
德国上科亨 |