发明名称 基准电压源
摘要 本发明公开了一种基准电压源,运算放大器,NMOS驱动管,PMOS驱动管和比较器。比较器通过外部电压的分压和参考电压的比较来实现在外部电压为高电平时控制PMOS驱动管关闭,在外部电压为低电平时控制PMOS驱动管导通。外部电压的分压由串联于外部电压和地之间的第三电阻和第四电阻来提供。第三电阻、第四电阻分别和第一电容、第二电容并联,用于实现当外部电压快速变化时,使外部电压的分压能快速响应;在外部电压和比较器的输出端之间连接有第三电容,用于实现在外部电压变化时使比较器的输出电压能跟随外部电压变化,能实现基准电压源在快上电时的自我保护。
申请公布号 CN103383579B 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201210134329.8 申请日期 2012.05.02
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 李兆桂;唐成伟
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 一种基准电压源,其特征在于,包括:一运算放大器,所述运算放大器的一个输入端接参考电压,另一个输入端接反馈电压,所述运算放大器的工作电源为外部电压;一NMOS驱动管和一PMOS驱动管,所述NMOS驱动管的源极和所述PMOS驱动管的漏极相连并作为基准电压的输出端,所述NMOS驱动管的漏极和所述PMOS驱动管的源极相连并且都连接外部电压;所述NMOS驱动管的栅极连接所述运算放大器的输出端;在所述NMOS驱动管的源极和地之间串联第一电阻和第二电阻,所述第一电阻和所述第二电阻的连接端提供所述反馈电压到所述运算放大器的另一个输入端;一比较器,所述比较器的反相输入端接所述参考电压,所述比较器的同相输入端接所述外部电压的分压;所述比较器的输出端连接所述PMOS驱动管的栅极;在所述外部电压和地之间的串联有第三电阻和第四电阻,所述第三电阻和所述第四电阻的连接端提供所述外部电压的分压;第一电容和所述第三电阻并联,第二电容和所述第四电阻并联,第三电容连接于所述外部电压和所述比较器的输出端之间。
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