| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置具有：搭载于基板的半导体元件；以铝为主要成分、设置于半导体元件的电极焊盘；将设置于基板的连接端子和电极焊盘连接、以铜为主要成分的铜线；和封装半导体元件和铜线的封装树脂。该半导体装置在大气中以200℃加热16小时时，在铜线与电极焊盘的接合部形成有含有选自钯和铂中的任意的金属的阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN104205314A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201380015809.5 | 申请日期 | 2013.03.12 |
| 申请人 | 住友电木株式会社 | 发明人 | 伊藤慎吾 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：搭载于基板的半导体元件；以铝为主要成分、设置于所述半导体元件的电极焊盘；将设置于所述基板的连接端子和所述电极焊盘连接、以铜为主要成分的铜线；和封装所述半导体元件和所述铜线的封装树脂，在大气中以200℃加热16小时时，在所述铜线与所述电极焊盘的接合部形成有含有选自钯和铂中的任意的金属的阻挡层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||