硅片的制绒工艺

摘要

本发明公开了硅片的制绒工艺，其中一种硅片的制绒工艺包括如下步骤：S1.提供硅片，在硅片的表面制备阻挡膜；S2.去除硅片待制绒面上的阻挡膜，暴露出硅片的待制绒面；S3.利用有机碱类溶液对硅片的待制绒面进行制绒加工，有机碱类溶液选自如下物质中的一种：四甲基氢氧化氨、联胺或EPW；S4.去除硅片上与制绒面相背的一面上的阻挡膜。本发明的硅片的制绒工艺通过采用四甲基氢氧化氨等类似有机碱进行制绒，其制绒效果好，对阻挡膜要求低，较薄的阻挡膜就可达到阻挡的效果，因此制备阻挡膜工艺时间短，成本低。采用四甲基氢氧化氨等类似有机碱，当硅片进行扩散掺杂后，可直接以形成的PSG/BSG作为阻挡膜。

主权项

一种硅片的制绒工艺，其特征在于，所述硅片的制绒工艺包括如下步骤：S1.提供硅片，在硅片的表面制备阻挡膜；S2.去除所述硅片待制绒面上的阻挡膜，暴露出硅片的待制绒面；S3.利用有机碱类溶液对所述硅片的待制绒面进行制绒加工，所述有机碱类溶液中的溶质成分选自如下物质中的一种：四甲基氢氧化氨、联胺或EPW；S4.去除硅片上与制绒面相背的一面上的阻挡膜。