制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法

摘要

本发明涉及一种制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法，包含通过在基板上形成包含铜基金属层和钛基金属层的双层然后用蚀刻液组合物蚀刻所述双层从而形成栅极布线，以及通过形成包含铜基金属层和钛基金属层的双层然后用所述蚀刻液组合物蚀刻所述双层从而形成源极和漏极电极，基于其总重所述蚀刻液组合物包含，0.5～20wt％的过硫酸盐化合物，0.01～2.0wt％的能在溶液中离解成氟离子的化合物，0.01～5.0wt％的不被或被一个或多个C1至C4的直链或支链烷基取代的环己胺化合物，和余量水，不包括过氧化氢；涉及所述蚀刻液组合物；以及涉及蚀刻包含铜基金属层和钛基金属层的双层的方法。

主权项

一种制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法，包含：a)在基板上形成栅极布线；b)在包含所述栅极布线的所述基板上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源极电极和漏极电极；和e)形成与所述漏极电极相连接的像素电极；其中a)的实施是通过在所述基板上形成包含铜基金属层和钛基金属层的双层，然后用蚀刻液组合物蚀刻所述双层，从而形成所述栅极布线，并且d)的实施是通过形成包含铜基金属层和钛基金属层的双层，然后用所述蚀刻液组合物蚀刻所述双层，从而形成所述源极电极和所述漏极电极，基于所述组合物的总重，所述蚀刻液组合物包含：A)0.5～20wt％的过硫酸盐化合物；B)0.01～2.0wt％的能在溶液中离解成氟离子的化合物；C)0.01～5.0wt％的不被或被一个或多个C1至C4的直链或支链烷基取代的环己胺化合物；和D)余量的水，不包括过氧化氢。