阵列基板及其制作方法、GOA单元制作方法及显示装置

摘要

本发明涉及显示技术，公开了一种阵列基板，包括基板和形成在基板上的栅极、栅绝缘及有源层和S/D金属层，S/D金属层用于形成源电极、漏电极和沟道区，所述沟道区对应的S/D金属层区域相对于基板的高度小于源电极和漏电极相对于基板的高度。本发明还公开了一种阵列基板制作方法、GOA单元制作方法及显示装置。本发明通过在基板或栅极上形成凹槽状的开口区，从而使其上方形成的栅绝缘及有源层和S/D金属层在开口区对应的区域形成段差区域，以使使用HTM形成沟道区的过程中，S/D金属层上与沟道区对应的区域的光刻胶厚度不会因HTM光透过率较大而变得较薄，从而避免刻蚀形成沟道区时因刻蚀厚度偏大而引起沟道区断开。

主权项

一种阵列基板，包括基板和形成在基板上的栅极、栅绝缘及有源层和S/D金属层，所述S/D金属层用于形成源电极、漏电极和沟道区，其特征在于，所述沟道区对应的S/D金属层区域相对于基板的高度小于源电极和漏电极相对于基板的高度。