一种磁记录薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种具有小晶粒尺寸和垂直取向的L1₀相FePt-MgO磁记录薄膜的制备方法。本发明的L1₀相FePt-MgO磁记录薄膜的制备方法是首先将其表面有一层氧化硅的基片经清洁处理，然后用真空共溅射方式在基片表面共溅射生长出一层FePt-MgO薄膜，其中：薄膜中Fe原子和Pt原子的比例为31：69-51：49，MgO与薄膜的体积比为5%-40%；溅射Fe为直流溅射方式，溅射Pt和MgO为交流溅射方式，然后再将薄膜在真空条件下进行退火处理。

主权项

一种磁记录薄膜的制备方法，其特征在于：a. 首先将其表面有一层氧化硅的基片经清洁处理，然后用真空共溅射方式在基片表面共溅射生长出一层FePt‑MgO薄膜，其中：薄膜中Fe原子和Pt原子的原子比例为31：69‑51：49，MgO与薄膜的体积比为5%‑40%；溅射Fe为直流溅射方式，溅射Pt和MgO为交流溅射方式，然后再将薄膜在真空条件下进行退火处理；b. 溅射腔室的真空度小于1.7X10^‑7 Torr后开始溅射制备薄膜，溅射气压为5 mTorr，分别起辉Fe靶、Pt靶和MgO靶，并通过调整Fe靶和Pt靶的溅射功率，控制薄膜中Fe原子和Pt原子的比例，氧化镁的含量也是通过控制溅射速率来控制，溅射功率范围为35W‑240W；制备好的FePt‑MgO薄膜在真空退火炉中退火，炉中真空度小于1X10^‑3 Torr，退火温度为700 ^oC，升温方式为先从室温升至50 ^oC,然后在50 ^oC保温5 分钟，其后升温速率为50 ^oC/min,退火时间为60分钟，加热结束后把真空退火炉的温度设为0 ^oC，等到炉腔内温度降到低于55 ^oC后，取出薄膜。