发明名称 |
一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置,方法步骤包括:提供一基板,在基板上形成第一导电薄膜,通过构图工艺形成包括像素电极的图案;进而形成金属薄膜,通过构图工艺形成包括公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案;进而形成半导体层薄膜,通过构图工艺形成包括半导体层的图案;进而形成栅极绝缘层薄膜,通过构图工艺形成包括栅极绝缘层和过孔的图案;在形成上述图案的基板上形成第二导电薄膜,通过构图工艺形成包括栅电极和公共电极的图案。在基板的同一层同步形成TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极,源电极和漏电极之间形成半导体层,该过程可控性好,工艺性能稳定。 |
申请公布号 |
CN103107134B |
申请公布日期 |
2014.12.10 |
申请号 |
CN201310031370.7 |
申请日期 |
2013.01.28 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
徐传祥;姚琪;齐永莲;陆金波 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,步骤如下:步骤1、提供一基板,在所述基板上形成第一导电薄膜,通过构图工艺形成包括像素电极的图案;步骤2、在形成上述图案的所述基板上形成金属薄膜,通过构图工艺在同层且同步形成包括公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案;步骤3、在形成上述图案的所述基板上形成半导体层薄膜,通过构图工艺形成包括半导体层的图案;步骤4、在形成上述图案的所述基板上形成栅极绝缘层薄膜,通过构图工艺形成包括过孔的栅极绝缘层图案;所述过孔的位置对应于所述栅电极线和所述公共电极线的位置,所述过孔露出部分所述栅电极线和公共电极线;步骤5、在形成上述图案的所述基板上形成第二导电薄膜,通过构图工艺形成包括栅电极和公共电极的图案;所述栅电极通过贯穿所述过孔与所述栅电极线连接,所述公共电极通过贯穿所述过孔与所述公共电极线连接。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |