发明名称 一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置
摘要 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置,方法步骤包括:提供一基板,在基板上形成第一导电薄膜,通过构图工艺形成包括像素电极的图案;进而形成金属薄膜,通过构图工艺形成包括公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案;进而形成半导体层薄膜,通过构图工艺形成包括半导体层的图案;进而形成栅极绝缘层薄膜,通过构图工艺形成包括栅极绝缘层和过孔的图案;在形成上述图案的基板上形成第二导电薄膜,通过构图工艺形成包括栅电极和公共电极的图案。在基板的同一层同步形成TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极,源电极和漏电极之间形成半导体层,该过程可控性好,工艺性能稳定。
申请公布号 CN103107134B 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201310031370.7 申请日期 2013.01.28
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 徐传祥;姚琪;齐永莲;陆金波
分类号 H01L21/77(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L21/77(2006.01)I
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人 黄志华
主权项 一种阵列基板的制造方法,其特征在于,步骤如下:步骤1、提供一基板,在所述基板上形成第一导电薄膜,通过构图工艺形成包括像素电极的图案;步骤2、在形成上述图案的所述基板上形成金属薄膜,通过构图工艺在同层且同步形成包括公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案;步骤3、在形成上述图案的所述基板上形成半导体层薄膜,通过构图工艺形成包括半导体层的图案;步骤4、在形成上述图案的所述基板上形成栅极绝缘层薄膜,通过构图工艺形成包括过孔的栅极绝缘层图案;所述过孔的位置对应于所述栅电极线和所述公共电极线的位置,所述过孔露出部分所述栅电极线和公共电极线;步骤5、在形成上述图案的所述基板上形成第二导电薄膜,通过构图工艺形成包括栅电极和公共电极的图案;所述栅电极通过贯穿所述过孔与所述栅电极线连接,所述公共电极通过贯穿所述过孔与所述公共电极线连接。
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