| 摘要 |
<p>동일 기판 상에 스위칭 소자와 광 센서 소자를 형성하는 경우에, 광 센서 소자의 감도를 올리기 위해, 활성층의 막 두께를 두껍게 하면, 스위칭 소자(TFT)의 특성에 악영향을 미치게 된다. 복수의 화소가 매트릭스 형상으로 배치되는 유리 기판(5)의 게이트 절연막(24) 상에, 화소의 스위칭 소자로 되는 박막 트랜지스터를 구성하는 채널층(25)과, 광 센서 소자를 구성하는 광전 변환층(35)을 갖는 표시 장치의 구성으로서, 광전 변환층(35)을 채널층(25)보다도 두껍게 형성하거나, 광전 변환층(35)을 채널층(25)과 다른 재료로 형성함으로써, 광전 변환층(35)의 광 흡수율을 채널층(25)의 광 흡수율보다도 높게 하였다.</p> |
