| 摘要 |
<p>여기에 제공되는 메모리 장치는 복수의 메모리 셀들과; 그리고 상기 각 메모리 셀은 프로그램 동작시 인가된 프로그램 전류에 응답하여 판별되는 초기 저항을 갖는 메모리 셀 물질을 포함하며 상기 메모리 셀의 저항은 상기 프로그램 동작 이후 시간의 경과에 따라 상기 초기 저항으로부터 변화하며; 상기 각 메모리 셀은 상기 프로그램 동작에서 상기 대응하는 메모리 셀의 저항을 프로그램하기 위해서 상기 프로그램 전류를 인가하는 데 사용되는 그리고 읽기 동작에서 상기 대응하는 메모리 셀의 저항을 읽기 위해서 읽기 전류를 인가하는 데 사용되는 상기 메모리 장치의 도전 라인에 연결되며; 상기 메모리 셀의 읽기 동작 이전에 거의 상기 초기 저항으로 상기 메모리 셀의 저항을 되돌리기 위해서 상기 복수의 메모리 셀들 중 읽기 동작을 위해서 선택된 메모리 셀의 저항을 변경하는 변경 회로를 포함한다.</p> |
