METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

기존의 대형 유리 기판의 제조장치를 사용하여, 유리 기판 위에 몰리브덴 막 및 그 위에 산화 몰리브덴 막을 형성하여, 산화 몰리브덴 막 위에 비금속 무기막 및 유기 화합물막을 적층하여, 유기 화합물막 위에 비교적 저온도(500℃ 미만)의 프로세스로 제작되는 소자를 형성한 후, 그 소자를 유리 기판으로부터 박리한다.