| 摘要 |
<p>AlInGaP 재료 시스템을 기반으로 한 반도체 층 스택(1)을 포함하는 광전 반도체 칩(10)의 제조 방법을 개시하는바, 본 제조 방법에서는 실리콘 표면을 갖는 성장 기판(2)을 제공한다. 압축 응력 완화된 버퍼 층 스택(3)을 성장 기판(2) 상에 부착한다. 버퍼 층 스택(3) 상에 반도체 층 스택(1)을 메타몰픽 에피택셜 성장시킨다. 반도체 층 스택(1)은 복사를 생성하도록 마련된 활성 층을 포함한다. 또한, 그러한 방법에 의해 제조된 반도체 칩을 개시한다.</p> |
