Usuwanie uszkodzeń i defektów z powierzchni i obszarów podpowierzchniowych krystalicznych płytek azotku galu GaN i związków o wzorze Ga_1-x-yAl_xIn_yN

摘要

Sposób usuwania uszkodzeń i defektów z powierzchni i obszarów podpowierzchniowych krystalicznych, płytek azotku galu (GaN) i związków o wzorze Ga1-X-YAlXInYN, charakteryzuje się tym, że płytki GaN są szlifowane mechanicznie, następnie polerowane proszkiem diamentowym o średniej wielkości ziarna 7,5 i 2 µm, a następnie polerowane na miękkiej powierzchni w czasie powyżej min z szybkością liniową powyżej 1 cm/s pod naciskiem powyżej 1 g/cm2 w obecności cieczy dozowanej z szybkością powyżej 1 cm3/h zawierającej co najmniej jedną reaktywną substancję chemiczną, np. kwas lub zasadę o łącznym stężeniu powyżej 0,0001 mol/l i/lub co najmniej jedną substancję utleniającą o łącznym stężeniu powyżej 0,0001 mol/1 oraz co najmniej jedną substancję stałą w postaci zawiesiny lub roztworu koloidowego w ilości co najmniej 1 mg/dm3, przy czym poszczególne składniki mogą być dozowane w postaci mieszaniny jeśli ze sobą nie reagują lub reagują w stopniu nieistotnym w przedziale czasowym, w którym trwa polerowanie lub oddzielnie, jeśli reagują ze sobą w istotnym stopniu w przedziale czasowym, w którym trwa polerowanie.