SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS, READ METHOD AND SYSTEM
摘要
<p>본 발명의 반도체 메모리 장치는 복수의 저항성 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이 및 1회 액세스되는 데이터에 대해 독출 감도를 가변시키면서 상기 복수의 저항성 메모리 셀의 저항값 상태를 판별하도록 제어하는 제어 블록을 포함한다. 따라서, 독출 감도를 가변시켜가며 데이터의 독출을 수행함으로써 전력 소모 및 동작 시간의 오버헤드를 최소화할 수 있고, 산포를 극복하여 신뢰성 높은 데이터 독출을 가능케 한다.</p>
