发明名称 METHOD AND STRUCTURE FOR REDUCING CRACKS IN A DIELECTRIC LAYER IN CONTACT WITH METAL
摘要 <p>금속 구조물(20)과 접촉하는 유전체(40) 내의 크랙을 감소시키는 방법 및 구조물을 개시한다. 금속 구조물은 제1 금속층(26), 제1 금속층과 접촉하고 제1 금속층 상에 형성되며 제1 금속층보다 영의 탄성 계수보다 큰 제2 금속층(30) 및 제2 금속층과 접촉하고 제2 금속층 상에 형성되며 제2 금속층보다 영의 탄성 계수보다 작은 제3 금속층(32)을 포함한다. 부가 금속(50)이 포함되고, 유전체는 부가 금속 및 금속 구조물 사이에 배치된다.</p>
申请公布号 KR101470392(B1) 申请公布日期 2014.12.08
申请号 KR20097022221 申请日期 2008.03.12
申请人 发明人
分类号 H01L21/02;H01L23/532 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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