チャンバ壁温度制御を備えたプラズマリアクタ

摘要

基板を処理するための装置が、本明細書に提供される。いくつかの実施形態では、装置は、処理チャンバの内部容積内の基板支持体の周りに配置される第１伝導体と、第２伝導体の第１端部に結合された内縁部を有し、内縁部の半径方向外側に配置された外縁部を有する第１伝導性リングと、第１伝導性リングの外縁部に結合され、第１伝導性リングの上方に配置された少なくとも一部を有する第２伝導体であって、第１伝導性リングと、第２伝導体の少なくとも一部が、第１伝導性リングの上方の第１領域を部分的に画定する第２伝導体と、第１伝導体、第２伝導体、及び第１伝導性リングを加熱するように構成されたヒータを含む。