发明名称 HALF-TONE MASK, HALF-TONE MASK BLANK, AND METHOD FOR PRODUCING HALF-TONE MASK
摘要 [과제] 농황산을 이용한 세정 처리에 있어서 에칭 스토퍼층의 사이드 에칭을 억제할 수 있는 하프톤 마스크를 제공한다. [해결 수단] 상기 하프톤 마스크는 투과부(TA)와, 반투과부(HA)와, 차광부(PA)를 구비한다. 차광부(PA)는 기재(S)와 반투과층(11)과, 반투과층 상에 설치되고 Cr 또는 Cr 화합물로 형성된 차광층(13)과 반투과층(11)과 차광층(13)의 사이에 설치된 에칭 스토퍼층(12)을 포함한다. 에칭 스토퍼층(12)은 제1의 원소와 제2의 원소를 함유한다. 상기 제1의 원소는 Mo 및 W로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 일종의 원소로 이루어지고, 6.4mol% 이상 38.2mol% 이하의 조성비를 가진다. 상기 제2의 원소는 Zr, Nb, Hf 및 Ta로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 일종의 원소로 이루어진다.
申请公布号 KR101470778(B1) 申请公布日期 2014.12.08
申请号 KR20137015224 申请日期 2011.12.21
申请人 发明人
分类号 G03F1/50;G03F1/80 主分类号 G03F1/50
代理机构 代理人
主权项
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