| 摘要 |
<p>본 발명에 따라서 기판 상에 금속막과 절연막을 형성하는 단계와; 에칭을 이용하여 컨택트 홀을 패터닝하여, 상기 기판 표면까지 노출시키는 단계와; 상기 컨택트 홀, 기판 표면 및 절연막 전체에 걸쳐 저항 변화 산화막을 형성하는 단계와; 상기 저항 변화 산화막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 에칭 단계에서, 상기 저항 변화 산화막에 위치에 따라 필라멘트 타입의 전기적 통로가 불규칙하게 나타나도록 상기 컨택트 홀을 비원형의 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층 구조의 저항 변화 메모리 소자 제조 방법이 제공된다.</p> |
