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<p>Procédé de réalisation d'au moins une partie suspendue d'une structure microélectronique et/ou nanoélectronique à partir d'une partie monolithique d'un premier substrat, ledit procédé comportant les étapes: -réalisation dans le substrat monolithique d'une première gravure sur une première profondeur pour définir la structure suspendue, - dépôt d'une couche de protection aux moins sur les bords latéraux de la première gravure, -réalisation d'une deuxième gravure sur une deuxième profondeur dans la première gravure, - réalisation d'un traitement physicochimique d'au moins une partie de la zone située sous la structure suspendue de sorte à modifier celle-ci, et - libération de la structure suspendue par retrait de la partie traitée par le traitement physicochimique.</p> |
