Diodo de emisión de luz mejorado

摘要

Ventana transparente adecuada para un montaje de diodo de emisión de luz (LED) semiconductor de AlGaInP, que comprende: una primera capa (207) compuesta por un primer material semiconductor dopado p distinto de AlGaInP; una segunda capa (208) formada sobre dicha primera capa (207) y que consiste en un segundo material semiconductor dopado p distinto de AlGaInP y diferente del material semiconductor dopado p de dicha primera capa; una tercera capa (209) formada sobre dicha segunda capa (208) y que consiste en un material conductor amorfo; y un contacto metálico que pasa a través de una abertura en dichas segunda (208) y tercera (209) capas hasta dicha primera capa (207) para formar conexiones óhmicas con dichas segunda (208) y tercera (209) capas y una conexión de diodo Schottky con dicha primera capa (207).