| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé d'écriture dans une mémoire EEPROM, le procédé comprenant des étapes de : mémorisation des bits d'un mot à écrire (DT) dans des premières unités de mémoire (BLT<j,k>), effacer un mot à modifier, formé de premières cellules mémoires connectées à une ligne de mot (WL<i>) et des premières lignes de bit (BL<j,k>), lecture de bits mémorisés dans les cellules mémoire d'une ligne de mot WL<i>, dans un premier mode de lecture (N) et mémorisation des bits lus dans des secondes unités de mémoire (BLT<j,n≠k>), lecture dans un second mode de lecture (ER, PG) des bits mémorisés dans les cellules mémoire de la ligne de mot, et programmation de chaque cellule mémoire de la ligne de mot, connectée à une unité de mémoire mémorisant un bit à l'état programmé du mot à écrire, d'un mot effacé ou d'un mot comprenant un bit ayant des états différents dans les premier et second modes de lecture.</p> |
