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MOS-Halbleiterbauelement des Verarmungstyps, mit einer n–Driftschicht (423), einer p–Wannenzone (433), die in einem Oberflächenbereich der n–Driftschicht (423) ausgebildet ist, einer n+ Emitterzone (435), die in einem Oberflächenbereich der p–Wannenzone (433) ausgebildet ist, einer n–Verarmungszone (434), die in einem Oberflächenbereich der p–Wannenzone derart ausgebildet ist, daß sie sich von der n+ Emitterzone (435) bis zu einem Oberflächenbereich der n–Driftschicht (423) erstreckt, einer Gateelektrodenschicht (438), die auf einem Gateisolationsfilm (439) oberhalb der n–Verarmungszone (434) ausgebildet ist, einer Emitterelektrode (441), die mit den Oberflächen sowohl der n+ Emitterzone (435) als auch der p–Wannenzone (433) in Kontakt steht, und einer Kollektorelektrode (432), die an einer rückseitigen Fläche der n–Driftschicht (423) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die p–Wannenzone (433) derart ausgebildet ist, daß sie die n–Verarmungszone (434) umgibt. |
