| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung, die in der vorliegenden Schrift beschrieben wird, weist ein Halbleitersubstrat und einen Feldplattenabschnitt auf, der an einer vorderen Oberfläche einer zellenfreien Region des Halbleitersubstrats ausgebildet ist. Die zellenfreie Region beinhaltet eine Mehrzahl von FLR-Schichten. Der Feldplattenabschnitt weist auf: eine Isolierbeschichtung, die an einer vorderen Oberfläche des Halbleitersubstrats ausgebildet ist; eine Mehrzahl erster leitender Schichten, die jeweils in der Isolierbeschichtung für ihre entsprechende FLR-Schicht so ausgebildet sind, dass sie entlang der entsprechenden FLR-Schicht angeordnet sind, wenn das Halbleitersubstrat in Draufsicht betrachtet wird; und eine Mehrzahl zweiter leitender Schichten, die so ausgebildet sind, dass sie jeweils mindestens zwei FLR-Schichten entsprechen, die aneinander angrenzen, und auf einem Teil ihrer entsprechenden FLR-Schichten auf intermittierende Weise entlang der entsprechenden FLR-Schichten angeordnet sind, wenn das Halbleitersubstrat in Draufsicht betrachtet wird, wobei jede von den zweiten leitenden Schichten aufweist: einen vorderen Oberflächenabschnitt, der an einer vorderen Oberfläche der Isolierbeschichtung ausgebildet ist, einen ersten Kontaktabschnitt, der sich vom vorderen Oberflächenabschnitt aus erstreckt und durch die Isolierbeschichtung hindurch verläuft, so dass er elektrisch mit der ersten leitenden Schicht verbunden ist, und einen zweiten Kontaktabschnitt, der sich vom vorderen Oberflächenabschnitt aus und durch die Isolierbeschichtung hindurch erstreckt, so dass er elektrisch mit der FLR-Schicht verbunden ist. An Stellen, die in der zweiten Richtung an einen ersten Kontaktabschnitt und einen zweiten Kontaktabschnitt einer zweiten leitenden Schicht angrenzen, sind keine ersten Kontaktabschnitte oder zweiten Kontaktabschnitte anderer zweiter leitender Schichten vorgesehen. |
