Epitaktische Technik zum Reduzieren von Schraubenversetzungen in unter Spannung befindlichen Halbleiterverbundstoffen

摘要

Eine Lösung zum Herstellen einer Halbleiterstruktur wird bereitgestellt. Die Halbleiterstruktur umfasst eine Mehrzahl von Halbleiterschichten, die unter Verwendung eines Satzes an epitaktischen Wachstumsperioden über ein Substrat gewachsen sind. Während jeder epitaktischen Wachstumsperiode wächst eine erste Halbleiterschicht mit einem aus: einer Zugspannung oder einer Kompressionsspannung, gefolgt durch das Wachstum einer zweiten Halbleiterschicht mit dem anderen aus: der Zugspannung oder der Kompressionsspannung direkt auf der ersten Halbleiterschicht. Eines oder mehrere aus einem Satz an Wachstumsbedingungen, einer Dicke von einer oder beiden Schichten und/oder einer Gitterfehlanpassung zwischen den Schichten kann eingestellt werden, um eine Zielhöhe der Kompressions- und/oder Scherspannung innerhalb eines Minimalprozentbereichs der Schnittstelle zwischen den Ebenen zu erzeugen.