发明名称 LEISTUNGSHALBLEITERMODULANORDNUNG
摘要 Die Erfindung betrifft eine Halbleitermodulanordnung sowie ein Verfahren zu deren Betrieb. Die Halbeitermodulanordnung umfasst ein Hauptsubstrat (3) mit einem isolierenden Träger (30), der mit einer strukturierten Metallisierungsschicht (31) versehen ist und die einen ersten und einen zweiten Metallisierungsabschnitt (311, 312) aufweist. Auf dem ersten Metallisierungsabschnitt (311) ist ein erstes Teilsubstrat (1) angeordnet, das einen ersten Isolationsträger (10) aufweist, sowie eine erste obere Metallisierungsschicht (11). Auf dem zweiten zusammenhängenden Metallisierungsabschnitt (312) ist ein zweites Teilsubstrat (2) angeordnet, das einen zweiten Isolationsträger (20) aufweist, eine zweite obere Metallisierungsschicht (21), sowie eine zweite untere Metallisierungsschicht (22), die auf eine Unterseite des zweiten Isolationsträgers (20) aufgebracht ist. Auf einem ersten Abschnitt (111) der ersten oberen Metallisierungsschicht (11) ist ein erster steuerbarer Halbleiterchip (6) angeordnet, der einen ersten Lastanschluss (61) und einen Steueranschluss (63) aufweist, die an einer der ersten oberen Metallisierungsschicht (11) abgewandten Oberseite des ersten Halbleiterchips (6) angeordnet sind, sowie einen zweiten Lastanschluss (62), der an einer Unterseite des ersten Halbleiterchips (6) angeordnet ist. Auf einem ersten Abschnitt (211) der zweiten oberen Metallisierungsschicht (21) ist ein zweiter steuerbarer Halbleiterchip (7) angeordnet, welcher einen ersten Lastanschluss (71) und einen Steueranschluss (73) aufweist, die an einer Oberseite des zweiten Halbleiterchips (7) angeordnet sind, sowie einen zweiten Lastanschluss (72), der an einer Unterseite des zweiten Halbleiterchips (7) angeordnet ist. Der erste zusammenhängende Metallisierungsabschnitt (311) weist eine erste Grundfläche (A311) auf. Der zweite zusammenhängende Metallisierungsabschnitt (312) weist eine zweite Grundfläche (A312) auf, die kleiner ist als das 1/0,95-fache der ersten Grundfläche (A311) und größer als das 1/1,05-fache der ersten Grundfläche (A311).
申请公布号 DE102013210146(A1) 申请公布日期 2014.12.04
申请号 DE201310210146 申请日期 2013.05.31
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DOMES, DANIEL
分类号 H01L25/07;H01L23/14;H01L23/34;H01L23/48;H02M1/00;H05K9/00 主分类号 H01L25/07
代理机构 代理人
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