| 摘要 |
Es wird ein Träger für einen optoelektronischen Halbleiterchip angegeben mit – einem Grundkörper (10), der eine erste Hauptfläche (10a) und eine zweite Hauptfläche (10b) aufweist, – zumindest eine Ausnehmung (11), die in den Grundkörper (10) eingebracht ist und die den Grundkörper (10) von der ersten Hauptfläche zur zweiten Hauptfläche vollständig durchdringt, und – einem Füllmaterial (12), das in die zumindest eine Ausnehmung (11) eingebracht ist, wobei – der Grundkörper (10) mit Silizium eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, – das Füllmaterial (12) mit polykristallinem Silizium eines zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, und – der Grundkörper (10) und das Füllmaterial (12) stellenweise in direktem Kontakt stehen. |
