| 摘要 |
<p>본 발명의 목적은 다결정 티탄산납 후막의 제조방법 및 이를 통해 제조되는 다결정 티탄산납 후막을 제공하는 데 있다. 이를 위하여, 본 발명은 산화티타늄(TiO) 분말과 산화납(PbO) 분말로부터 티탄산납(PbTiO) 분말을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 티탄산납 분말을 이용하여 원하는 기판 상에 졸-겔법, 상온분말분사법, 스퍼터링 및 화학기상증착법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 코팅하여 핵생성층을 형성하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 핵생성층으로부터 티탄산납 후막을 성장시키는 단계(단계 3);를 포함하는 다결정 티탄산납 후막의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따라 제조된 다결정 티탄산납 후막은 졸-겔법, 상온분말분사법, 스퍼터링 및 화학기상증착법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 코팅하여 핵생성층을 형성한 후 막을 성장시킴에 따라 고온의 열처리 없이도 결정성이 향상되고 티탄산납 후막의 접착 특성 및 전기적 특성이 향상됨으로써, 제작된 소자의 전기에너지 저장밀도와 신뢰성을 개선함으로써 상기 다결정 막을 이용하여 소자를 제작할 경우 우수한 성능의 박막형 유전체재료, 압전재료, 센서 및 엑츄에이터의 기초소자로 제작할 수 있는 효과가 있다.</p> |
