发明名称 Flash memory device and layout method of the flash memory device
摘要 <p>본 발명의 실시예에 따른 플래시 메모리 장치는, 복수개의 페이지 버퍼 고전압 트랜지스터들을 구비한다. 상기 페이지 버퍼 고전압 트랜지스터 각각은, 게이트 패턴; 소거 동작시 플로팅 되는 제1패턴; 및 소거 동작시 소거 전압이 인가되는 제2패턴을 구비한다. 제1페이지 버퍼 고전압 트랜지스터가 구비하는 제1패턴은, 상기 제1페이지 버퍼 고전압 트랜지스터의 제1방향으로 이웃하여 배치되는 제2페이지 버퍼 고전압 트랜지스터가 구비하는 제1패턴에, 이웃하여 평행하게 배치된다. 제2페이지 버퍼 고전압 트랜지스터가 구비하는 제2패턴은, 상기 제2페이지 버퍼 고전압 트랜지스터의 제1방향으로 이웃하여 배치되는 제3페이지 버퍼 고전압 트랜지스터가 구비하는 제2패턴에, 이웃하여 평행하게 배치된다.</p>
申请公布号 KR101469097(B1) 申请公布日期 2014.12.04
申请号 KR20080118807 申请日期 2008.11.27
申请人 发明人
分类号 G11C16/00;H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 G11C16/00
代理机构 代理人
主权项
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