Oxide semiconductor and thin film transistor comprising the same

摘要

본 발명은 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것이다. Zn, In 및 Hf을 포함하며, Zn, In 및 Hf 원자의 전체 함량 대비 Hf 원자 함량의 조성비가 2 내지 16 at%인 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.