发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
摘要 Ein optoelektronische Halbleiterchip (1) umfasst einen Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (24) sowie mindestens eine Ausnehmung (6) aufweist, die sich durch eine zweite Halbleiterschicht (22) in eine erste Halbleiterschicht (21) hinein erstreckt, einen Träger (5), wobei der Träger (5) mindestens eine Aussparung (9) aufweist, eine metallische Verbindungsschicht (4) zwischen dem Halbleiterkörper (2) und dem Träger (5), wobei die metallische Verbindungsschicht (4) einen ersten Bereich (41) und einen zweiten Bereich (42) umfasst und wobei der erste Bereich (41) durch die Ausnehmung (6) hindurch elektrisch leitend mit der ersten Halbleiterschicht (21) und der zweite Bereich (42) elektrisch leitend mit der zweiten Halbleiterschicht (22) verbunden ist, und einen ersten Kontakt (81) und einen zweiten Kontakt (82), wobei der erste Kontakt (81) durch die Aussparung (9) hindurch elektrisch leitend mit dem ersten Bereich (41) oder der zweite Kontakt (82) durch die Aussparung (9) hindurch elektrisch leitend mit dem zweiten Bereich (42) verbunden ist.
申请公布号 DE102013109316(A1) 申请公布日期 2014.12.04
申请号 DE201310109316 申请日期 2013.08.28
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 MALM, NORWIN VON;PLÖSSL, ANDREAS
分类号 H01L33/62;H01L21/58;H01L21/78;H01L31/0224;H01S5/02 主分类号 H01L33/62
代理机构 代理人
主权项
地址