| 发明名称 | 半导体装置的评价装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的评价装置，其对形成在半导体衬底(100)上的半导体装置进行电气评价，该半导体装置的评价装置具有：保持部(2)，其将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上；以及检测部(3)，其对保持部(2)的表面(2A)的凹凸进行检测。保持部(2)在表面(2A)上包含多个槽部(20)，多个槽部(20)形成为，在将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上时，与半导体衬底(100)的外周重合，并且，一部分与半导体衬底(100)的外周相比位于外侧。 | ||
| 申请公布号 | CN104183516A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201410174467.8 | 申请日期 | 2014.04.28 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 秋山肇;冈田章;山下钦也 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置的评价装置，其对形成在半导体衬底上的半导体装置进行电气评价，该半导体装置的评价装置具有：保持部，其将半导体衬底保持在表面上；以及检测部，其对所述保持部的所述表面的凹凸进行检测，所述保持部在所述表面上包含多个槽部，多个所述槽部形成为，在将所述半导体衬底保持在所述表面上时，与所述半导体衬底的外周重合，并且，一部分与所述半导体衬底的外周相比位于外侧。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||