发明名称 一种低功耗电源控制电路及方法
摘要 本发明公开了一种低功耗电源控制电路及方法,该电路包括两个NPN型的三极管Q1和Q2、一个P沟道MOS管Q3、电源BT1、电源管理芯片U1及触控按键S1;该电路采用电池进行供电,触控按键对电源启动进行触发控制,两个NPN三极管Q1和Q2联合控制P沟道MOS管的栅极,来达到低功耗触发启动,随需停止的控制目的,当需要把负载上电源进行关闭时,电源管理芯片U1输出变为低电平,三极管Q2进入截止状态,P沟道MOS管的栅极处于高电位,MOS管处于截止状态,负载回路电源供应被切断,同时管理芯片也进入物理掉电的状态,仅有微弱的漏电流。
申请公布号 CN104181833A 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201410436286.8 申请日期 2014.08.29
申请人 长城信息产业股份有限公司;湖南长城医疗科技有限公司 发明人 贾昕悦;胡强;刘迪平;彭启;杨建章;廖建平;文晖;刘金欣
分类号 G05B19/04(2006.01)I 主分类号 G05B19/04(2006.01)I
代理机构 长沙市融智专利事务所 43114 代理人 黄美成
主权项 一种低功耗电源控制电路,其特征在于,包括两个NPN型的三极管Q1和Q2、一个P沟道MOS管Q3、电源BT1、电源管理芯片U1及触控按键S1;所述电源BT1的正极通过电阻R1与触控按键S1的静触点相连,所述触控按键S1的动触点通过电阻R3与所述电源BT1的负极即地端相连;所述触控按键S1的动触点还通过电阻R2接三极管Q1的基极,三极管Q1和Q2的集电极均接至P沟道MOS管Q3的栅极,三极管Q1和Q2的发射极均接地,P沟道MOS管Q3的源极接电源BT1的正极,P沟道MOS管Q3的漏极接负载至电源BT1的负极;电源BT1的正极通过电阻R5连接至P沟道MOS管Q3的栅极,电源管理芯片U1的电源输入端VCC接P沟道MOS管的漏极,电源管理芯片U1的接地端GND接电源BT1的负极,电源管理芯片U1的电平输出端PCON通过电阻R4连接至三极管Q2的基极;所述三极管Q2的发射极和P沟道MOS管的漏极之间接有负载RFZ。
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