发明名称 | 一种高电化学活性的空心花状二氧化锰及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种可适用于超级电容器材料的空心花状二氧化锰的制备方法。即将高锰酸钾溶液在阳离子表面活性剂存在下,通过酸性介质中用铜做还原剂通过水热法制备而成。本发明所述空心花状二氧化锰具有较高的离子传输性能,适用于超级电容器材料。本发明给出的制备方法操作简单,成本低廉,工艺稳定性好,适于产业化。 | ||
申请公布号 | CN104176782A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
申请号 | CN201310198702.0 | 申请日期 | 2013.05.25 |
申请人 | 无锡华臻新能源科技有限公司 | 发明人 | 沈绍典;谷涛 |
分类号 | C01G45/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C01G45/02(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种二氧化锰的制备方法,其特征是:以一种椭球状介孔二氧化硅为硬模板剂,往其孔道中填入油脂,在惰性气氛下碳化为相应形貌多孔碳的方法。 | ||
地址 | 214191 江苏省无锡市锡山区芙蓉中三路99号科创园祥云3座208 |