| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供包括I/O区和核心区的半导体衬底，在半导体衬底上形成覆盖I/O区和核心区的I/O区界面层；步骤S102：对I/O区界面层进行氮化处理和氮化后退火处理；步骤S103：对I/O区界面层进行氧化处理；步骤S104：在I/O区界面层位于I/O区的部分的上方形成图形化的光刻胶；步骤S105：以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀去除I/O区界面层位于所述核心区的部分；步骤S106：去除所述图形化的光刻胶。本发明的方法通过在现有的工艺流程中增加氮化后退火和氧化处理的步骤，可以保证I/O区界面层的等效氧化层厚度，改善器件的负偏压温度不稳定性，因而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104183470A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201310190043.6 | 申请日期 | 2013.05.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供包括I/O区和核心区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成覆盖所述I/O区和所述核心区的I/O区界面层；步骤S102：对所述I/O区界面层进行氮化处理和氮化后退火处理；步骤S103：对所述I/O区界面层进行氧化处理；步骤S104：在所述I/O区界面层位于所述I/O区的部分的上方形成图形化的光刻胶；步骤S105：以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀去除所述I/O区界面层位于所述核心区的部分；步骤S106：去除所述图形化的光刻胶。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||