| 发明名称 | FinFET上拉伸应变的调整 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有可调节拉伸应变的鳍式场效应晶体管（FinFET）及在集成电路中调整拉伸应变的实施例方法。方法包括在鳍中的栅极区的对侧上形成源极/漏极区，在鳍上方形成间隔件，间隔件邻近源极/漏极区，在间隔件之间沉积电介质；以及实施退火工艺以使电介质收缩，电解质的收缩使间隔件变形，间隔件的变形扩大了鳍中的栅极区。 | ||
| 申请公布号 | CN104183497A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201310373818.3 | 申请日期 | 2013.08.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 江国诚;林志昌;陈冠霖;徐廷鋐;黄俊嘉 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种在集成电路中调节拉伸应变的方法，包括：在鳍中的栅极区的相对侧上形成源极/漏极区；在所述鳍上方形成间隔件，所述间隔件邻近所述源极/漏极区；在所述间隔件之间沉积电介质；以及实施退火工艺以使所述电介质收缩，所述电介质的收缩使所述间隔件变形，所述间隔件的变形扩大所述鳍中的所述栅极区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||