| 发明名称 | 一种制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括第一虚拟栅极，所述第二区域包括第二虚拟栅极；在所述半导体衬底上形成层间介质层，执行平坦化工艺处理所述层间介质层，以露出所述第一虚拟栅极和第二虚拟栅极的顶部；在所述第二区域上形成覆盖层；刻蚀去除所述第一虚拟栅极以形成第一沟槽，在所述第一沟槽中形成第一金属栅极；采用氧等离子体处理所述第一金属栅极。根据本发明的制造工艺可以有效地避免在制作具有高k电介质/金属栅极的半导体器件时产生的金属层化学损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN104183549A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201310190084.5 | 申请日期 | 2013.05.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李凤莲;倪景华 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括第一虚拟栅极，所述第二区域包括第二虚拟栅极；在所述半导体衬底上形成层间介质层，执行平坦化工艺处理所述层间介质层，以露出所述第一虚拟栅极和第二虚拟栅极的顶部；在所述第二区域上形成覆盖层；去除所述第一虚拟栅极以形成第一沟槽，在所述第一沟槽中形成第一金属栅极；采用氧等离子体处理所述第一金属栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||