一种沟槽栅IGBT芯片

摘要

本发明提供了一种沟槽栅IGBT芯片，包括若干个相互并联的元胞，每个元胞包括第I沟槽栅和第II沟槽栅，所述沟槽栅之间由第一导电类型区域隔离，所述第II沟槽位于所述第I沟槽的一侧，在所述第I沟槽栅的另一侧设置有发射极和第二导电类型的源极区，所述沟槽栅IGBT芯片还包括：形成于所述第一导电类型区域内的第III沟槽栅，所述第III沟槽栅的栅长所在的直线与所述第II沟槽栅的栅长所在的直线相交。相较于现有技术，制备本发明提供的沟槽栅IGBT芯片，不会增加制备的工艺难度和成本。此外，由于增加的第III沟槽栅，增加了沟槽栅IGBT芯片的沟槽密度，有利于提高IGBT芯片的耐压、功耗和安全工作区性能。

主权项

一种沟槽栅IGBT芯片，包括若干个相互并联的元胞，每个元胞包括第I沟槽栅和第II沟槽栅，所述沟槽栅之间由第一导电类型区域隔离，所述第II沟槽位于所述第I沟槽的一侧，在所述第I沟槽栅的另一侧设置有发射极和第二导电类型的源极区，所述发射极和所述第二导电类型的源极区位于第一导电类型基区内，其特征在于，所述沟槽栅IGBT芯片还包括：形成于所述第一导电类型区域内的第III沟槽栅，所述第III沟槽栅的栅长所在的直线与所述第II沟槽栅的栅长所在的直线相交；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反。