发明名称 一种磁传感装置的制备工艺
摘要 本发明揭示了一种磁传感装置的制备工艺,所述制备工艺包括如下步骤:步骤S1:在基底上沉积绝缘的介质材料;步骤S2:依次沉积磁性材料和电极材料,电极材料层同时作为磁性材料的保护层;步骤S3:甩涂光刻胶,曝光,显影;步骤S4:刻蚀,去除多余部分的电极材料、磁性材料,并去除光刻胶;步骤S5:在刻蚀完成后,采用等离子体对圆晶进行清洗,随后在不破坏真空的情况下进行Ta<sub>x</sub>N<sub>y</sub>材料的沉积,其中,x&lt;y;Ta<sub>x</sub>N<sub>y</sub>材料用于保护经刻蚀露出的磁性材料的侧壁,避免其被氧化;步骤S6:沉积第二电极层,并进行图形化。本发明提出的磁传感装置的制备工艺,通过在电极材料层上设置一层Ta<sub>x</sub>N<sub>y</sub>材料,可有效防止磁性材料侧壁部分被氧化,从而提高磁传感装置的性能。
申请公布号 CN104183696A 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201310188211.8 申请日期 2013.05.20
申请人 上海矽睿科技有限公司 发明人 万旭东;张挺
分类号 H01L43/12(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I 主分类号 H01L43/12(2006.01)I
代理机构 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人 王松
主权项 一种磁传感装置的制备工艺,其特征在于,所述制备工艺包括如下步骤: 步骤S1:在基底上沉积绝缘的介质材料; 步骤S2:依次沉积磁性材料和电极材料,电极材料层同时作为磁性材料的保护层; 步骤S3:甩涂光刻胶,曝光,显影; 步骤S4:刻蚀,去除多余部分的电极材料、磁性材料,并去除光刻胶; 步骤S5:在刻蚀完成后,采用等离子体对圆晶进行清洗,随后在不破坏真空的情况下进行高阻值材料的沉积,;高阻值材料用于保护经刻蚀露出的磁性材料的侧壁,避免其被氧化; 步骤S6:沉积第二电极层,并进行图形化。 
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