晶圆级芯片尺寸封装

摘要

本发明提出了一种半导体器件，一种制备半导体器件的方法以及一种电路封装组件。半导体器件可以具有一个半导体衬底，该衬底带有第一和第二表面以及在它们之间的侧壁。在第一和第二表面上的第一第二导电垫与衬底中相应的第一和第二半导体器件结构电接触。第一表面和侧壁上的绝缘层覆盖了第一表面上的一部分第一导电垫。第一导电垫和侧壁上的部分绝缘层上的导电层，与第二导电垫电接触。绝缘层阻止导电层与第一和第二导电垫之间电接触。

主权项

一种半导体器件包括：一个半导体衬底，具有第一和第二表面以及在第一和第二表面之间的侧壁；一个第一导电垫，在器件的第一表面上，与衬底内的第一半导体器件结构电接触；一个第二导电垫，在器件的第二表面上，与衬底内的第二半导体器件结构电接触；一个在侧壁上的切口，从第一表面延伸到第二表面，其中所述的切口并没有延伸穿过晶片的整个长度；一个绝缘层，在第一表面上和切口中的侧壁上；一个导电层，在侧壁上的部分绝缘层上，其中导电层与第二导电垫电接触，以便能从第一表面上接入第二导电垫，其中绝缘层阻止导电层在第二导电垫和半导体衬底的侧壁之间接触；其中，第一半导体器件结构含有一个源极区，第二半导体器件结构含有一个漏极区；所述的半导体器件是一个垂直场效应管；一个在侧壁上的第二切口，从第一表面延伸到第二表面；一个第二绝缘层，在第二表面上以及第二切口中的侧壁上；一个第二导电层，在侧壁上的部分第二绝缘层上，其中第二导电层与第一导电垫电接触，以便能从第二表面接入第一导电垫。